フッ素を使わない新たな半導体製造技術の開発を推進

フッ素を使わない新たな半導体製造技術の開発を推進会議の写真

 10月9日(金)、本学で令和8年度成長型中小企業等研究開発支援事業(通称:Go-Tech事業)「画期的高速エッチング可能な半導体製造装置部材に適応する新規Tiアノード酸化技術及びその製造装置の開発」の第1回研究開発推進委員会を開催されました。

 本事業は、主たる研究等実施機関である三和産業株式会社(山口県下松市)を中心に、地方独立行政法人山口県産業技術センター(山口県宇部市)、東京エレクトロン宮城株式会社(宮城県黒川郡)、本学生命科学部などが参画し、半導体製造装置部材の高性能化につながる新たなTiアノード酸化技術※および製造装置の開発を進めて2年目となります。生命科学部生命科学科河野俊輔教授は、本事業において「フッ素を使わない新しい表面処理技術」の研究を担当しています。

 当日は、中小企業基盤整備機構(東京都港区)を含む関係機関から11名が参加し、各研究機関による研究開発の進捗報告や意見交換を実施。報告会で河野教授は、これまでの研究成果として、処理に使用する液体の成分がチタン表面の反応に大きく影響することや、その反応を促進・抑制する要因について新たな知見が得られたことを報告しました。また、処理液の劣化につながる物質も確認され、将来的な量産化や品質の安定化に向けた重要な成果となっていることが示されました。

 これらの研究成果は、フッ素を使用しない環境負荷の低い表面処理技術の実現につながるものであり、半導体製造装置部材の高性能化製造プロセスの高度化への貢献が期待されています。

 今後も本学は、産学官連携による研究開発を通じて、半導体産業の発展に貢献する革新的技術の創出に取り組んでいきます。

※金属の表面処理を行う新技術

【生命科学部/産学共創・研究推進本部】

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