SiC（炭化ケイ素）-MOSFETのトンネル電流・絶縁膜破壊の評価とベンダー間比較

SiC-MOSFETは、次世代省エネデバイスとして大きな期待を集め、各社が量産を開始しました。しかし、ゲート絶縁膜信頼性に懸念が残り、本命の電気自動車への応用は遅れています。我々は、ゲートトンネル電流の挙動と絶縁膜破壊との関係に着目して研究を進めています。
このたび、産業技術総合研究所の協力を得て、窒化（NO）処理条件がトンネル電流や絶縁膜破壊特性に与える影響の詳細検討を開始しました。窒化量が多い場合、MOS界面近傍にホール（正孔）が捕獲され異常なトンネル電流増大が発生することを見出し、絶縁破壊特性へのインパクトも解明が進んできました。
本知見をもとに、各ベンダー品のゲートトンネル電流の挙動を調べることで、NO処理条件を推定し、信頼性評価への指針も得られます。

• SiC-MOSFETとRaspberry Piを用いた太陽電池のMPPT制御に関する教育研究