2021年10月26日に、理工学部電気工学科の村上英一教授が国際学会13th European conference on Silicon Carbide and Related Materialsで研究成果を発表しました。発表題目は、Significant Differences in BTI and TDDB Characteristics of Commercial Planar SiC-MOSFETsです。
発表内容は、シリコン カーバイド (SiC) 金属酸化物半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) は、商用アプリケーション向けに複数のベンダーによって製造されています。 SiC-MOSFET の信頼性は、バイアス温度不安定性 (BTI) および時間依存絶縁破壊 (TDDB) 特性を使用して評価されました。ここでは、異なるベンダーの 2 つのプレーナ SiC-MOSFET サンプル (A と B) を比較しました。サンプルは、正と負の BTI、時間依存のゲート電流、TDDB 寿命統計、および温度依存性が大きく異なることを示しました。これらの違いは、NO (一酸化窒素) アニーリングのバリエーションを示唆しています。
