2022年5月31日に、理工学部電気工学科の村上英一教授が研究しているSiC-MOSFETsに関する研究成果が国際学会誌Materials Science Forumに掲載されました。本研究は、織田一弘教授と竹下達也教授も共著者として関わています。
論文題目：Significant Differences in BTI and TDDB Characteristics of Commercial Planar SiC-MOSFETs
概要：シリコン カーバイド (SiC) 金属酸化物半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) は、商用アプリケーション向けに複数のベンダーによって製造されています。 SiC-MOSFET の信頼性は、バイアス温度不安定性 (BTI) および時間依存絶縁破壊 (TDDB) 特性を使用して評価されました。ここでは、異なるベンダーの 2 つのプレーナ SiC-MOSFET サンプル (A と B) を比較しました。サンプルは、正と負の BTI、時間依存のゲート電流、TDDB 寿命統計、および温度依存性が大きく異なることを示しました。これらの違いは、NO (一酸化窒素) アニーリングのバリエーションを示唆しています。
