SiC（炭化ケイ素）-MOSFET絶縁破壊故障の低温スクリーニング手法の研究

SiC-MOSFETは、次世代省エネデバイスとして大きな期待を集め、各社が量産を開始しました。しかし、ゲート絶縁膜故障の落ちこぼれ（Bモード故障）に懸念が残り、本命の電気自動車（EV）への応用は遅れています。
我々はこのたび、絶縁破壊試験を低温（-60℃）で行うことで、Bモード故障がより顕在化される実験結果を得ました。（下図、欧州SiC国際会議2021にてポスター発表、論文受理）本知見の再現性を最新の量産品を用いて確認するとともに、より効率的なスクリーニング手法の開発、及び、Bモード故障メカニズムの解明に向けて研究を継続して行きます。

• SiC-MOSFETとRaspberry Piを用いた太陽電池のMPPT制御に関する教育研究