EV応用を目指した高信頼SiC-MOSFETにおける界面窒化濃度の最適化技術

炭化ケイ素（SiC）を用いたパワートランジスタは、省エネルギーのキー技術として脱炭素に大いに期待されています。電車にはどんどん実用化されているのに、EV（電気自動車）になかなか応用が進まないのは、部品そのものにゼロ欠陥が要求される自動車産業の要求水準の高さが理由です。
トランジスタのゼロ欠陥化には、高電圧を短時間印可して弱いものを壊して取り除く、いわゆるスクリーニング手法が用いられます。
本研究では、電子を流れやすくする目的で絶縁膜と半導体との界面に導入されている窒素の量が多すぎると、高電圧印加時に特性変動を起こして、スクリーニングが不十分になることを突き止めました。（産業技術総合研究所などとの共同研究, IEEE:米国電気電子学会, IRPS 2023:信頼性物理国際会議 にて口頭発表）

【理工学部電気工学科　村上英一】

• SiC-MOSFETのパワー回路応用に関する研究