ＫＳＵペディア

トランジスタを構成する半導体（Si）や絶縁膜（SiO2）の高電界中で加速され高エネルギーとなった電子や正孔（電子の抜け穴）。フラッシュメモリ書き換えに使えるが、数々の信頼性故障の原因としても知られている。