ＫＳＵペディア

GaN、GaAs、InPなどの化合物半導体に増幅領域を形成し電流を注入することで発光ダイオードとして利用できるが、さらに半導体の端面等を共振器とすることでレーザ発振する半導体レーザとして利用できる。